Devrimsel 3D X-DRAM bellek teknolojisi duyuruldu: 4TB RAM’lere hazır olun!
SSD’lerden ilham alındı
4 TB RAM’ler geliyor
NEO Semiconductor, 3D X-DRAM’in kapasitörsüz yüzen gövde hücre teknolojisine dayanan 3D NAND benzeri bir DRAM hücre dizisi yapısı kullandığını söylüyor. Bu hücre yapısı, süreçteki adım sayısını basitleştirerek 3D sistem belleği üretimi için “yüksek hızlı, yüksek yoğunluklu, düşük maliyetli ve yüksek verimli bir çözüm” sağlıyor. NEO Semiconductor, yeni 3D X-DRAM teknolojisinin 230 katmanla 128 Gb yoğunluğa ulaşabileceğini tahmin ediyor ki bu da günümüzün DRAM yoğunluğundan 8 kat daha büyük.
Yorum gönder