Devrimsel 3D X-DRAM bellek teknolojisi duyuruldu: 4TB RAM’lere hazır olun!
San Jose merkezli NEO Semiconductor, 3D istifleme teknolojisi ile DRAM yonga yoğunluğunu artırmaya yönelik çığır açıcı bir çözüm olarak adlandırdığı teknoloji piyasaya süryor. Yeni bellek yongaları DRAM kapasitesini büyük ölçüde artırırken düşük maliyetiyle dikkat çekiyor. Firmaya göre geliştirdikleri 3D X-DRAM teknolojisi sayesinde DRAM’in kapasite darboğazı çözülecek. SSD’lerden ilham alındı
NEO Semiconductor, 3D X-DRAM’in DRAM bellek için dünyanın ilk 3D NAND benzeri teknolojisi olduğunu, DRAM’in kapasite darboğazını çözmek için geliştirilen bir çözüm olduğunu ve “tüm 2D DRAM pazarının” yerini alacağını söylüyor. Şirket, çözümünün rakip ürünlerden daha iyi olduğunu, çünkü bugün piyasadaki diğer seçeneklerden çok daha kullanışlı olduğunu belirtiyor. Firma, 3D NAND teknolojilerinden (SSD’lerde kullanılan) ilham alarak 3D X-DRAM teknolojisini geliştirdiğini aktarıyor. Yeni belleklerin üretiminin ise mevcut altyapılar ile gerçekleştirileceği de belirtiliyor. 4 TB RAM’ler geliyor
Şirketin yol haritasına göre 3D X-DRAM ile 2030 yılına kadar 1Tb (1 terabit) entegre devrelere ulaşılacak. 1Tb entegre devreler, tek bir RAM’de rahatlıkla 2 TB kapasiteleri mümkün kılıyor -her bir tarafında 8 yonga bulunan RAM’ler ile birlikte. Eğer 32 entegre yongaya sahip RAM’ler yapılmak istenirse bu kapasite 4 TB seviyelerine kadar çıkabilecek. Elbette 4 TB bellek sıradan bir kullanıcının ihtiyacı olan bir şey değil ancak bilginin verilerden ibaret olduğu ve her yıl inanılmaz düzeyde dijital bilginin üretildiğini düşünürsek yeni RAM’ler sunucular için devrim yaratabilir. NEO Semiconductor, 3D X-DRAM’in kapasitörsüz yüzen gövde hücre teknolojisine dayanan 3D NAND benzeri bir DRAM hücre dizisi yapısı kullandığını söylüyor. Bu hücre yapısı, süreçteki adım sayısını basitleştirerek 3D sistem belleği üretimi için “yüksek hızlı, yüksek yoğunluklu, düşük maliyetli ve yüksek verimli bir çözüm” sağlıyor. NEO Semiconductor, yeni 3D X-DRAM teknolojisinin 230 katmanla 128 Gb yoğunluğa ulaşabileceğini tahmin ediyor ki bu da günümüzün DRAM yoğunluğundan 8 kat daha büyük.
Yorum gönder