Geleneksel sabit disk (HDD) teknolojisine alternatif olarak geliştirilen SSD teknolojisinin depolama çözümlerinde önemli bir devrim yarattığını kabul etmek lazım. Ve şimdi, depolama ve bellek teknolojilerinde yeni bir devrimin eşiğinde olabiliriz.

Endüstriyel Teknoloji Araştırma Enstitüsü (ITRI) ve Tayvan Yarı İletken Üretim Şirketi (TSMC), ilk olarak 2022 yılında duyurulan ortak bir geliştirme programının sonucu olan bir SOT-MRAM (spin-orbit torque magnetic random-access memory) çipinin oluşturulduğunu duyurdu.

STT-MRAM’in (spin-transfer-tork MRAM) bir alternatifi olarak lanse edilen yeni SOT-MRAM, bellek mimarilerinde bilgi işlem için ve yüksek yoğunluklu son seviye gömülü önbellek uygulamaları için bir alternatif olarak işlev görecek. Üstelik bunu yaparken selefi tarafından tüketilen elektriğinin sadece %1’ine ihtiyaç duyacak. Tüm bunlar yetmiyormuş gibi yeni RAM’lerin DRAM’den daha hızlı olduğu söyleniyor.

ITRI ve TSMC, 2023 IEE Uluslararası Elektron Cihazları Toplantısı’nda (IEDM 2023) bu mikroelektronik bileşen hakkında yeni bir araştırma makalesi yayınladı. ITRI Elektronik ve Optoelektronik Sistem Araştırma Laboratuvarları Genel Müdürü Dr. Shih-Chieh Chang, “Geçen yıl VLSI Teknolojisi ve Devreleri Sempozyumu’nda sunulan ortak makalelerin ardından, bir SOT-MRAM birim hücresini daha birlikte geliştirdik. Bu prototip hücre aynı anda düşük güç tüketimiyle yüksek hızda çalışma sağlayarak 10 nanosaniye gibi yüksek hızlara ulaşabiliyor. Yeni bellek devresi bilgi işlemle entegre edildiğinde genel bilgi işlem performansı daha da artırılabilir. İleriye baktığımızda ise bu teknoloji yüksek performanslı bilgi işlem (HPC), yapay zeka, otomotiv çipleri ve daha birçok alanda uygulama potansiyeline sahip.”

Öte yandan bu teknoloji hemen yarın pazara çıkmak için hazır değil. SOT-MRAM, SRAM’den daha düşük bekleme gücü sunarken, yazma işlemleri için yüksek akımlara ihtiyaç duyuyor, bu nedenle dinamik güç tüketimi oldukça yüksek. Ayrıca, SOT-MRAM hücreleri hala SRAM hücrelerinden daha büyük ve üretilmeleri daha zor. Sonuç olarak, SOT-MRAM teknolojisi umut verici görünse de, yakın zamanda SRAM’in yerini alması pek olası görünmüyor. Yine de, bellek içi bilgi işlem uygulamaları için SOT-MRAM, şimdi olmasa da, yakın gelecekte uygun maliyetli olarak üretildiğinde, çok popüler bir çözüm olacak gibi görünüyor.